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Les effets du minerai de Ruthénium sont modulés par la technologie de rayonnement Magnetron DC (DCMS) et les effets de la température d'arrière-plan, la pression et la radioproduction de la vitesse de dépôt de la membrane Tio2 ont été étudiés et affichés le balayage de gaz microélectrique (FESEM) est utilisé. Les outils de diffraction des rayons X (XRD) et les compteurs de lumière polarisés elliptiques comportent une morphologie de surface, une structure et une épaisseur de la membrane de l'échantillon. Les résultats expérimentaux montrent que le film est une structure anatase unique avec DMS et surface formant des uniformes de particules. En plus d'augmenter les températures de dépôt, la vitesse de dépôt de la membrane est passée de 2,16 nm / min de 100 ° C à 4,03 nm / minimes; Augmenter la pression, la vitesse de sédimentation de la membrane a diminué, 0,75 Pa, 1,5 pa et 3,0 PA, la vitesse de dépôt de 4,48 nm / min, 3,18 nm / min et 2,42 nm / minute; Capacité de radiation augmentée, le taux de dépôt augmenté, 100 W, 295W et 443W étaient de 2,95 nm / min, 3,18 nm / min et 7,50 nm / min, respectivement. Enfin, les films Tio2 à deux couches sont conçus sur la base en verre avec le logiciel de conception de la membrane TFCEt le film, la valeur de test et les résultats de la conception théorique ont été considérablement conçus des résultats.

Nom du journal
Numéro d'édition

2020, 57(5)

Numéro de classification

O469 TB43

Introduction

Ce document académique portant sur Rayonnement riche magnétron et intitulé Recherche sur le taux de croissance des films Tio2 de la mine Titan et sa demande dans la préparation de films stratifiés en Sciences agricoles de base Chinese Agriculture a été édité et complété par Jocks School, Ha Nam Chengjie College, Pingdingshan 467046, Chine;Bâtiment Technologie photovoltaïque intégrée dans le laboratoire de projet HA Nam, pingdingshan 467046, Chine de LiWei, WangChaoYong, WangKaiHong, LiZongZe a été édité et complété. Publié à dans le journal Aspirateur, volume 2020, 57(5), Projet de recherche sur la science et la technologie Henan, le projet de coopération scientifique et technologique de Pingdingshan (2017009 (9.5), Projet d'enseignant de Hanoi Urban Building Building 2018 sous copyright.

Fonds et projets
Projet de recherche sur la science et la technologie Henan, le projet de coopération scientifique et technologique de Pingdingshan (2017009 (9.5), Projet d'enseignant de Hanoi Urban Building Building 2018
Institution et adresse
Jocks School, Ha Nam Chengjie College, Pingdingshan 467046, Chine;Bâtiment Technologie photovoltaïque intégrée dans le laboratoire de projet HA Nam, pingdingshan 467046, Chine